• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 美国卫生研究院文献>Scientific Reports >Enhancing carrier transport and carrier capture with a good current spreading characteristic via graphene transparent conductive electrodes in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes
【2h】

Enhancing carrier transport and carrier capture with a good current spreading characteristic via graphene transparent conductive electrodes in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes

机译：通过InGaN / GaN多量子阱发光二极管中的石墨烯透明导电电极以良好的电流扩散特性增强载流子传输和载流子捕获

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Fabrication processes of the InGaN/GaN MQW LEDs with graphene transparent conductive electrodes on the -GaN layer: ( ) Graphene was grown on a copper sheet by a chemical vapor deposition (CVD). ( ) Poly(methyl methacrylate) (PMMA) was spin-coated on the graphene/copper sheet. ( ) The copper sheet was etched in a 1 wt. % (NH ) S O solution. ( ) The graphene with PMMA was transferred onto the -GaN layer of the InGaN/GaN MQW LEDs. ( ) The PMMA layer was removed by acetone solution.
机译：在-GaN层上具有石墨烯透明导电电极的InGaN / GaN MQW LED的制造工艺：（）通过化学气相沉积（CVD）在铜板上生长石墨烯。 （）将聚（甲基丙烯酸甲酯）（PMMA）旋涂在石墨烯/铜片上。 （）以1 wt。 ％（NH 3）S O溶液。 （）将具有PMMA的石墨烯转移到InGaN / GaN MQW LED的-GaN层上。 （）通过丙酮溶液除去PMMA层。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号