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【2h】

Fabrication of SiC Sealing Cavity Structure for All-SiC Piezoresistive Pressure Sensor Applications

机译：用于全SiC压阻式压力传感器应用的SiC密封腔结构的制造

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摘要

High hardness and corrosion resistance of SiC (silicon carbide) bulk materials have always been a difficult problem in the processing of an all-SiC piezoresistive pressure sensor. In this work, we demonstrated a SiC sealing cavity structure utilizing SiC shallow plasma-etched process (≤20 μm) and SiC–SiC room temperature bonding technology. The SiC bonding interface was closely connected, and its average tensile strength could reach 6.71 MPa. In addition, through a rapid thermal annealing (RTA) experiment of 1 min and 10 mins in N2 atmosphere of 1000 °C, it was found that Si, C and O elements at the bonding interface were diffused, while the width of the intermediate interface layer was narrowed, and the tensile strength could remain stable. This SiC sealing cavity structure has important application value in the realization of an all-SiC piezoresistive pressure sensor.
机译：SiC（碳化硅）散装材料的高硬度和耐腐蚀性始终是全SiC压阻压力传感器的处理中的难题。在这项工作中，我们证明了利用SiC浅等离子体蚀刻工艺（≤20μm）和SiC-SiC室温粘合技术的SiC密封腔结构。 SiC键合界面密切连接，其平均拉伸强度可达到6.71MPa。另外，通过在1000℃的N2气氛中的快速热退火（RTA）实验，在1000℃的N 2气氛中进行10分钟，发现键合界面处的Si，C和O元素漫射，而中间界面的宽度层缩小，拉伸强度可以保持稳定。该SiC密封腔结构具有重要的应用价值，实现全SiC压阻式压力传感器。

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