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Monitoring the charge-transfer process in a Nd-doped semiconductor based on photoluminescence and SERS technology

机译:基于光致发光和SERS技术监测ND掺杂半导体中的电荷转移过程

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摘要

a The UV–vis absorption spectra of ZnO and Zn1−xNdxO (x = 0.00, 0.01, 0.02). b Optical energy band gap of ZnO and Zn1−xNdxO (x = 0.00, 0.01, 0.02)
机译:ZnO和Zn1-XNDXO的UV-Vis吸收光谱(x = 0.00,0.01,0.02)。 B ZnO和Zn1-XNDXO的光学能带隙(x = 0.00,0.01,0.02)

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