• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 美国卫生研究院文献>Nanomaterials >Ag2S QDs/Si Heterostructure-Based Ultrasensitive SWIR Range Detector
【2h】

Ag2S QDs/Si Heterostructure-Based Ultrasensitive SWIR Range Detector

机译：AG2S QDS / SI异质结构的超敏感速率范围探测器

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

In the 20th century, microelectronics was revolutionized by silicon—its semiconducting properties finally made it possible to reduce the size of electronic components to a few nanometers. The ability to control the semiconducting properties of Si on the nanometer scale promises a breakthrough in the development of Si-based technologies. In this paper, we present the results of our experimental studies of the photovoltaic effect in Ag2S QD/Si heterostructures in the short-wave infrared range. At room temperature, the Ag2S/Si heterostructures offer a noise-equivalent power of 1.1 × 10−10 W/√Hz. The spectral analysis of the photoresponse of the Ag2S/Si heterostructures has made it possible to identify two main mechanisms behind it: the absorption of IR radiation by defects in the crystalline structure of the Ag2S QDs or by quantum QD-induced surface states in Si. This study has demonstrated an effective and low-cost way to create a sensitive room temperature SWIR photodetector which would be compatible with the Si complementary metal oxide semiconductor technology.
机译：在20世纪，微电子是由硅，其具有半导体性质彻底改变终于使人们有可能对电子元件的尺寸缩小到几纳米。控制在纳米尺度硅的半导体特性的能力有望在硅基技术发展的突破口。在本文中，我们提出我们的在硫化银QD / Si的异质结构的光伏效应的实验研究的结果在短波红外范围内。在室温下，该硫化银/硅异质结构提供1.1×10-10 W /√Hz的的噪声等效功率。该硫化银/硅异质结构的光响应的频谱分析使得有可能确定它后面的两个主要机制：IR辐射通过在硫化银量子点的晶体结构或者通过在硅量子QD诱导的表面状态的缺陷的吸收。这项研究表明，以创建一个敏感室温SWIR光检测器，其将与硅互补金属氧化物半导体技术兼容的有效和低成本的方式。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号