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【2h】

One-Step Fabrication of Copper Nanopillar Array-FilledAAO Films by Pulse Electrodeposition for Anisotropic Thermal ConductiveInterconnectors

机译：一步制备铜纳米柱阵列填充脉冲电沉积AAO薄膜用于各向异性导热互连器

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By using pulse electrodeposition, a copper nanopillar array (CuNPA) was filled into porous anodized aluminum oxide (AAO) films to achieve a highly thermal conductive interconnector with anisotropic property. After 120 min pulse deposition, CuNPA uniformly filled the pores of AAO with a pore-filling percentage of 99.4%, as the ion concentration in AAO pores can re-equilibrate to electrolyte concentration during the current-off period. The CuNPA-filled AAO film showed a high thermal conductivity of 153.12 W/(m·K) in the vertical direction and a low thermal conductivity of 3.43 W/(m·K) in the horizontal direction. Hence, the anisotropic ratio of the thermal conductivity reached 44.64. Moreover, the fabrication process was facile and cost-effective, showing a potential application prospect in the field of high-density packages and power electronic devices.
机译：通过使用脉冲电沉积，将铜纳米柱阵列（CuNPA）填充到多孔阳极氧化铝（AAO）膜中，以实现具有各向异性的高导热互连器。脉冲沉积120分钟后，CuNPA以99.4％的孔填充率均匀填充AAO的孔，因为在断流期间AAO孔中的离子浓度可以重新平衡到电解质浓度。填充了CuNPA的AAO膜在垂直方向上显示出153.12W /（m·K）的高导热率，在水平方向上显示出3.43W /（m·K）的低导热率。因此，热导率的各向异性比达到44.64。此外，制造过程容易且具有成本效益，显示出在高密度封装和电力电子设备领域的潜在应用前景。

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