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Rapid Layer-Specific Annealing Enabled by Ultraviolet LED with Estimation of Crystallization Energy for High- Performance Perovskite Solar Cells

机译：紫外LED实现的特定于层的快速退火，可估算高性能钙钛矿太阳能电池的结晶能

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A rapid layer-specific annealing on perovskite active layer enabled by ultraviolet (UV) light-emitting diode (LED) is demonstrated and efficiency close to 19% is achieved in a simple planar inverted structure ITO/PEDOT:PSS/MAPbI(3)/PC71BM/Al without any device engineering. These results demonstrate that if the UV dosage is well managed, UV light is capable of annealing perovskite into high-quality film rather than simply damaging it. Different in principle from other photonic treatment techniques that can heat up and damage underlying films, the UV-LED-annealing method enables layer-specific annealing because LED light source is able to provide a specific UV wavelength for maximum light absorption of target film. Moreover, the layer-specific photonic treatment allows accurate estimation of the crystallization energy required to form perovskite film at device quality level.
机译：通过紫外（UV）发光二极管（LED）实现了钙钛矿活性层上的特定于层的快速退火，并且在简单的平面倒置结构ITO / PEDOT：PSS / MAPbI（3）/中实现了接近19％的效率PC71BM / Al，无需任何设备工程。这些结果表明，如果紫外线剂量得到妥善管理，则紫外线能够将钙钛矿退火成高质量的薄膜，而不仅仅是对其造成损害。 UV-LED退火方法与其他可以加热并损坏下面的膜的光子处理技术在原理上不同，因为LED光源能够提供特定的UV波长以最大程度地吸收目标膜，所以UV-LED退火方法可以进行特定于层的退火。而且，特定于层的光子处理允许在装置质量水平上准确估计形成钙钛矿膜所需的结晶能。

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