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Fast and Ultraclean Approach for Measuring the Transport Properties of Carbon Nanotubes

机译：快速超净方法测量碳纳米管的传输性能

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In this work, a fast approach for the fabrication of hundreds of ultraclean field-effect transistors (FETs) is introduced, using single-walled carbon nanotubes (SWCNTs). The synthesis of the nanomaterial is performed by floating-catalyst chemical vapor deposition, which is employed to fabricate high-performance thin-film transistors. Combined with palladium metal bottom contacts, the transport properties of individual SWCNTs are directly unveiled. The resulting SWCNT-based FETs exhibit a mean field-effect mobility, which is 3.3 times higher than that of high-quality solution-processed CNTs. This demonstrates that the hereby used SWCNTs are superior to comparable materials in terms of their transport properties. In particular, the on-off current ratios reach over 30 million. Thus, this method enables a fast, detailed, and reliable characterization of intrinsic properties of nanomaterials. The obtained ultraclean SWCNT-based FETs shed light on further study of contamination-free SWCNTs on various metal contacts and substrates.
机译：在这项工作中，介绍了一种使用单壁碳纳米管（SWCNT）的快速制造数百个超净场效应晶体管（FET）的方法。纳米材料的合成是通过浮式催化剂化学气相沉积进行的，该方法用于制造高性能薄膜晶体管。结合钯金属底部触点，可以直接揭示单个SWCNT的传输性能。所得的基于SWCNT的FET表现出平均场效应迁移率，这比高质量溶液处理的CNT高3.3倍。这表明，由此使用的SWCNT就其传输性能而言优于同类材料。特别是，开关电流比率超过3000万。因此，该方法能够快速，详细和可靠地表征纳米材料的固有特性。所获得的基于超清洁SWCNT的FET为进一步研究各种金属触点和基板上的无污染SWCNT提供了启示。

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