Univ Twente, Inst Nanotechnol, NL-7500 AE Enschede, Netherlands;
Univ Calif Irvine, Dept Phys & Astron, Irvine, CA 92697 USA;
Univ Twente, Inst Nanotechnol, NL-7500 AE Enschede, Netherlands;
Univ Twente, Inst Nanotechnol, NL-7500 AE Enschede, Netherlands;
Univ Twente, Inst Nanotechnol, NL-7500 AE Enschede, Netherlands;
Univ Twente, Inst Nanotechnol, NL-7500 AE Enschede, Netherlands;
Univ Calif Irvine, Dept Phys & Astron, Irvine, CA 92697 USA;
Univ Twente, Inst Nanotechnol, NL-7500 AE Enschede, Netherlands;
Univ Twente, Inst Nanotechnol, NL-7500 AE Enschede, Netherlands;
epitaxial growth; inorganic nanosheets; patterning; perovskite oxide; pulsed laser deposition;
机译:InAs / GaAs单量子点按需外延的适当沉积量
机译:金属有机蒸气相外延(MOVPE),氢化物(或卤化物)蒸气相外延(HVPE)和分子束外延(MBE)生长的III型氮化物的热力学分析
机译:利用金属有机气相外延和射频分子束外延型外延石墨烯IN INN成核层的生长机制
机译:金属 - 有机气相外延,气源分子束外延和卤化物气相外延生长GaN的对比光学特征
机译:氢化物气相外延生长极性和非极性氮化物半导体准衬底,用于分子束外延开发光电子器件
机译:等离子体辅助分子束外延通过液滴外延对Si(111)上的GaN纳米点进行表征和密度控制
机译:InAs / GaAs单量子点按需外延的适当沉积量
机译:用于直写外延的光辅助化学束外延