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Growth and Device Application of CdSe Nanostructures

机译：CdSe纳米结构的生长及其器件应用

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Inorganic semiconductor nanostructures have attracted increasing interest in recent years because of their distinguishable role in fundamental studies and technical applications, mainly due to their size- and shape-dependent properties and flexible processing methods. The use of such nanostructures in optic, optoelectric, and piezoelectric prospects is expected to play a crucial role in future nanoscale devices. Cadmium selenide (CdSe), a well-known direct bandgap Ⅱ-Ⅵ semiconductor in which the bandgap favors absorption over a wide range of the visible spectrum, has been a promising material for applications in such fields as photodetectors, field-effect transistors (FETs),field emitters, solar cells, light-emitting diodes (LEDs), memory devices,biosensors, and biomedical imaging. The research on CdSe nanostructures has made remarkable progress in the last few years. The research activities on CdSe nanostructures including various methods for the synthesis of CdSe nanostructures and the unique properties and device applications of these nanostructures are reviewed. Potential future directions of this research area are also highlighted.
机译：近年来，由于其在基础研究和技术应用中的独特作用，主要是由于其尺寸和形状相关的特性以及灵活的加工方法，无机半导体纳米结构引起了越来越多的兴趣。此类纳米结构在光学，光电和压电领域的应用有望在未来的纳米器件中发挥关键作用。硒化镉（CdSe）是一种著名的直接带隙Ⅱ-Ⅵ半导体，其中带隙有利于在宽范围的可见光谱范围内吸收，已成为在光电探测器，场效应晶体管（FET）等领域中应用的有前途的材料），场发射器，太阳能电池，发光二极管（LED），存储设备，生物传感器和生物医学成像。近年来，CdSe纳米结构的研究取得了显着进展。综述了CdSe纳米结构的研究活动，包括各种CdSe纳米结构的合成方法，以及这些纳米结构的独特性质和器件应用。还突出了该研究领域的潜在未来方向。

著录项

  • 来源
    《Advanced Functional Materials》 |2012年第8期|p.1551-1566|共16页
  • 作者

    Lijuan Zhao; Linfeng Hu; Xiaosheng Fang;

  • 作者单位

    Department of Materials Science Fudan University Shanghai 200433, P. R. China;

    Department of Materials Science Fudan University Shanghai 200433, P. R. China;

    Department of Materials Science Fudan University Shanghai 200433, P. R. China;

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