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Electric-Field-Assisted Nanostructuring of a Mott Insulator

机译：莫特绝缘子的电场辅助纳米结构

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摘要

Here, the first experimental evidence for a strong electromechanical coupling in the Mott insulator CaTa_4Se_8 that allows highly reproducible nanoscaled writing by means of scanning tunneling microscopy (STM) is reported. The local electric field across the STM junction is observed to have a threshold value above which the clean (100) surface of GaTa_4Se_8 becomes mechanically instable: at voltage biases >1.1 V, the surface suddenly inflates and comes in contact with the STM tip, resulting in nanometer-sized craters. The formed pattern can be indestructibly "read" by STM at a lower voltage bias, thus allowing 5 Tdots inch~(-2) dense writing/reading at room temperature. The discovery of the electromechanical coupling in CaTa_4Se_8 might give new clues in the understanding of the electric pulse induced resistive switching recently observed in this stoichiometric Mott insulator.
机译：在这里，第一个实验证据表明，在Mott绝缘子CaTa_4Se_8中存在强大的机电耦合，可以通过扫描隧道显微镜（STM）进行高度可再现的纳米级写入。观察到STM结两端的局部电场具有一个阈值，高于该阈值时，GaTa_4Se_8的干净（100）表面变得机械不稳定：在电压偏置> 1.1 V时，该表面突然膨胀并与STM尖端接触，从而导致在纳米大小的火山口中。可以在较低的电压偏置下通过STM可靠地“读取”所形成的图案，从而允许在室温下进行5 Tdots英寸〜（-2）的密集写入/读取。 CaTa_4Se_8中机电耦合的发现可能为了解最近在这种化学计量的Mott绝缘子中观察到的电脉冲感应电阻切换提供新线索。

著录项

  • 来源
    《Advanced Functional Materials》 |2009年第17期|2800-2804|共5页
  • 作者

    Vincent Dubost; Tristan Cren; Cristian Vaju; Laurent Cario; Benoit Corraze; Etienne Janod; Francois Debontridder; Dimitri Roditchev;

  • 作者单位

    Institut des Nanosciences de Paris (INSP), CNRS UMR 75-88 Universite Paris 6 (UPMC) 140 rue de Lourmel, 75015 Paris (France);

    Institut des Nanosciences de Paris (INSP), CNRS UMR 75-88 Universite Paris 6 (UPMC) 140 rue de Lourmel, 75015 Paris (France);

    Institut des Materiaux Jean Rouxel (IMN), Universite de Nantes, CNRS 2 rue de la Houssiniere, 44322 Nantes Cedex 3 (France);

    Institut des Materiaux Jean Rouxel (IMN), Universite de Nantes, CNRS 2 rue de la Houssiniere, 44322 Nantes Cedex 3 (France);

    Institut des Materiaux Jean Rouxel (IMN), Universite de Nantes, CNRS 2 rue de la Houssiniere, 44322 Nantes Cedex 3 (France);

    Institut des Materiaux Jean Rouxel (IMN), Universite de Nantes, CNRS 2 rue de la Houssiniere, 44322 Nantes Cedex 3 (France);

    Institut des Nanosciences de Paris (INSP), CNRS UMR 75-88 Universite Paris 6 (UPMC) 140 rue de Lourmel, 75015 Paris (France);

    Institut des Nanosciences de Paris (INSP), CNRS UMR 75-88 Universite Paris 6 (UPMC) 140 rue de Lourmel, 75015 Paris (France);

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