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GaAs oxide desorption under extreme ultraviolet photon flux

机译：极紫外光子通量下GaAs氧化物的解吸

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Tne interaction of light with matter is one of the most studied branches of modern physics. Beyond its scientific interest, the technological impact is enormous, from optoelectronics to miniaturization in integrated circuits. In the latter case, in order to produce even smaller circuits, the introduction of a lithographic technology based on extreme ultraviolet (EUV) light is forecast for the year 2007. This introduces a number of open issues regarding the interaction of EUV radiation with matter. Herein, we report an unexpectedly strong desorption effect due to the irradiation of a nanopatterned gallium arsenide oxide with EUV light. The observed phenomenon can be explained in the framework of Auger-assisted desorption, with the size of the effect justified by the particular photon wavelength, in the EUV region, and the extremely high photon flux. The mechanism behind the observed phenomena will also apply to other semiconductors, and we believe that our findings will have an impact on the development of EUV lithography.
机译：光与物质的相互作用是现代物理学研究最多的分支之一。除了其科学兴趣之外，从光电技术到集成电路的小型化，其技术影响是巨大的。在后一种情况下，为了生产更小的电路，预计在2007年将引入基于极紫外（EUV）光的光刻技术。这引入了许多有关EUV辐射与物质相互作用的开放性问题。在本文中，我们报告了由于用EUV光照射了纳米图案的砷化镓氧化物而产生的出乎意料的强解吸作用。可以在俄歇辅助解吸的框架中解释观察到的现象，该效应的大小由EUV区域中特定的光子波长和极高的光子通量来证明。观察到的现象背后的机理也将适用于其他半导体，我们相信我们的发现将对EUV光刻技术的发展产生影响。

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