机译:MoS_2与InAlAs / InGaAs异质结的集成,用于可见和近红外波段的双色检测
Fudan Univ Sch Informat Sci & Technol State Key Lab ASIC & Syst Shanghai 200433 Peoples R China;
Fudan Univ Sch Microelect State Key Lab ASIC & Syst Shanghai 200433 Peoples R China;
Nanjing Univ Sch Elect Sci & Engn Nanjing 210093 Jiangsu Peoples R China;
Nanjing Univ Sch Phys Natl Lab Solid State Microstruct Nanjing 210093 Jiangsu Peoples R China|Nanjing Univ Collaborat Innovat Ctr Adv Microstruct Nanjing 210093 Jiangsu Peoples R China;
2D electron gas; dual-band photodetection; gate-tunable negative; positive responsivity; MoS2; InAlAs; InGaAs van der Waals heterojunction;
机译:通过使用高通量外延升降向高分辨率成像系统,通过使用高通量外延升降机的可见GaAs和近红外ingaAs的单片集成
机译:纯三元InAlAs-InGaAs-InAlAs双异质结双极微波晶体管的低温性能
机译:消除三元InAlAs-InGaAs-InAlAs双异质结双极晶体管中的电流阻塞
机译:InAlAs / InGaAs异质结二极管在GaAs上的异质集成:晶片键合对结构和电特性的影响
机译:使用可见和近红外反射率确定单个小麦籽粒的颜色等级。
机译:摘要69:使用近红外相机与Ingaas元素的淋巴结检测
机译:通过使用高通量外延升降向高分辨率成像系统,通过使用高通量外延升降机的可见GaAs和近红外ingaAs的单片集成
机译:假晶基极 - 发射极间隔层对铍掺杂InGaas / Inalas异质结双极晶体管电流诱导退化的影响