机译:利用金刚石磨粒与钛基体之间的化学反应制备化学机械抛光(CMP)抛光粉
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) 2266-98 Anagahora, Shimoshidami, Moriyama-ku, Nagoya 463-8560, Japan;
chemical mechanical polishing (CMP); pulsed electric current sintering, pad dresser; diamond; ttitanium;
机译:用于CMP固定磨料垫的非晶金刚石修整器
机译:用于亚微米集成电路制造的化学机械平面化过程中的材料去除区域:浆料化学物质,磨料尺寸分布和晶片-焊盘接触面积的耦合效应
机译:用于亚微米集成电路制造的化学机械平面化过程中的材料去除区域:浆料化学物质,磨料尺寸分布和晶片-焊盘接触面积的耦合效应
机译:化学机械抛光(CMP)中由于金刚石盘条件导致的垫变形的有限元建模
机译:化学机械抛光中垫-磨料-晶片接触的力学
机译:化学机械抛光实施后化学机械抛光对钛植入物表面性质的影响FT-IR和钛植入物表面的润湿性数据
机译:通过添加研磨剂和各种氧化剂改善镍的化学机械抛光(CMP)性能
机译:采用化学机械抛光(Cmp)和热氧化的纳米通道制造技术