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【24h】

Spin-torque diode effect in magnetic tunnel junctions

机译：磁性隧道结中的自转矩二极管效应

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摘要

Rectification function has been observed in a CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junction (MTJ), which shows the giant tunneling magneto-resistance effect. The junction size was about 100nm x 200nm. Applied radio frequency (RF) current exerts a spin-torque interaction on magnetization in the MTJ, and causes resonant precession of spins. The MTJ shows high resistance only for one direction of the applied RF current and yields dc voltage as a result. The output voltage would be larger than those of semiconductor diodes if critical voltage to switch magnetization is smaller than 25mV. We named this device a "spin-torque diode". New applicatons of spin-tronics devices such as high frequency devices, are expected.
机译：在CoFeB / MgO / CoFeB磁性隧道结（MTJ）中已观察到整流功能，显示出巨大的隧道磁阻效应。结尺寸约为100nm x 200nm。施加的射频（RF）电流对MTJ中的磁化施加自旋-扭矩相互作用，并导致自旋共振进动。 MTJ仅在所施加的RF电流的一个方向上显示高电阻，因此会产生dc电压。如果开关磁化强度的临界电压小于25mV，则输出电压将大于半导体二极管的输出电压。我们将该设备命名为“自旋二极管”。期望诸如高频设备的自旋电子设备的新应用。

著录项

  • 来源
    《AIST today》 |2006年第20期|24-24|共1页
  • 作者

    Yoshishige Suzuki;

  • 作者单位

    Nanoelectronics Research Institute;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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