首页> 外文期刊>AIST Today >New n-Type Diamond Semiconductor Synthesized
【24h】

New n-Type Diamond Semiconductor Synthesized

机译:合成的新型n型金刚石半导体

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

Growth of n-type diamond semiconductor on (001)-oriented diamond substrate using microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition (CVD) technique has been succeeded leading the world. This is a very significant achievement eliminating the restriction of substrate orientation, which has been a bottleneck in the development of diamond electronic devices. Furthermore, UV light emission has been observed with emitting device, which is made using p-n junction of the (001)-oriented diamond semiconductors.
机译:使用微波等离子体增强化学气相沉积(CVD)技术在(001)取向的金刚石衬底上生长n型金刚石半导体已成功走向世界。这是一个非常重要的成就,它消除了基板取向的限制,而基板取向一直是钻石电子设备开发的瓶颈。此外,利用发射器件观察到了UV光发射,该发射器件是使用(001)取向的金刚石半导体的p-n结制成的。

著录项

  • 来源
    《AIST Today》 |2005年第18期|19-19|共1页
  • 作者

    Hiromitsu Kato;

  • 作者单位
  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号