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A Low-Profile Dual-Polarized Antenna with High Isolation and High Front-to-Back Ratio for 5G Base Stations

机译：用于5G基站的高隔离和高压率的低调双极化天线

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A dual-polarized, broadband, slot-coupled patch antenna design is presented for sub-6 GHz 5G base stations. Proposed antenna is made up of two suspended stacked patches above feedline layer and is excited by crossed elliptic-H slots for +/- 45 slant, linear dual polarized operation. Prototyped antenna has an impedance bandwidth of 22.1% (3.14 - 3.92 GHz) for 1S111, 1S221 -15 dB and port isolation 1S211 is also obtained to be -28 dB in this band. Antenna exhibits directional radiation patterns with half power beamwidths of 57 - 65 and 60 - 64 in elevation and azimuth planes, respectively with varying gain of 8.6 - 9.1 dBi. Proposed antenna is also low profile (11.1 mm) with high front-toback ratio ( 27 dB) without reflector. Design details, numerical studies, and measurement results are presented.
机译：为Sub-6 GHz 5G基站提出了双极化的宽带槽耦合贴片天线设计。 所提出的天线由馈线层上方的两个悬浮的堆叠贴片组成，并且通过交叉的椭圆形 - H槽激发，用于+/- 45倾斜，线性双极化操作。 原型天线的阻抗带宽为22.1％（3.14-3.92GHz），用于1S111,1S221＆ -15 DB和端口隔离1S211也被获得为＆ -28 dB在此频段中。 天线在高度和方位角中显示出具有57-65和60 - 64的半功率束宽度的定向辐射图案，分别具有8.6-9.1dBi的变化增益。 所提出的天线也是低轮廓（11.1mm），具有高压率（＆ 27 dB）而没有反射器。 提出了设计细节，数值研究和测量结果。

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