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1D numerical simulation of charge trapping in an insulator submitted to an electron beam irradiation. Part I: Computation of the initial secondary electron emission yield

机译：电荷在绝缘子中受到电子束辐照的一维数值模拟。第一部分：初始二次电子发射率的计算

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The aim of this work is to study by numerical simulation a mathematical modelling technique describing charge trapping during initial charge injection in an insulator submitted to electron beam irradiation. A two-fluxes method described by a set of two stationary transport equations is used to split the electron current j_e(Z) into coupled forward j_(e+){Z) and backward j_(e_)(Z) currents and such that j_e{z) =j_(e+)(Z) - =j_(e-)(Z). The sparse algebraic linear system, resulting from the vertex-centered finite-volume discretization scheme is solved by an iterative decoupled fixed point method which involves the direct inversion of a bi-diagonal matrix. The sensitivity of the initial secondary electron emission yield with respect to the energy of incident primary electrons beam, that is penetration depth of the incident beam, or electron cross sections (absorption and diffusion) is investigated by numerical simulations.
机译：这项工作的目的是通过数值模拟研究一种数学建模技术，该技术描述在初始电荷注入绝缘子后经受电子束辐照的过程中的电荷俘获。使用由两个固定输运方程组描述的双通量方法将电子电流j_e（Z）分解为耦合的正向j_（e +）{Z）和反向j_（e _）（Z）电流，使得j_e { z）= j_（e +）（Z）-= j_（e-）（Z）。由一个以顶点为中心的有限体积离散化方案产生的稀疏代数线性系统，是通过一个迭代解耦不动点方法解决的，该方法涉及一个双对角矩阵的直接求逆。通过数值模拟研究了初始二次电子发射产率相对于入射的一次电子束能量的敏感性，即入射束的穿透深度或电子截面（吸收和扩散）。

著录项

  • 来源
    《Applied Mathematical Modelling》 |2011年第3期|p.1175-1183|共9页
  • 作者

    A. Aoufi; G. Damamme;

  • 作者单位

    Centre SMS, PECM UMR CNRS 5146, Ecole Nationale Superieure des Mines de Saint-Etienne, 158 cours Fauriel, 42023 Saint-Etienne cedex2, France;

    rnCEA-DAM/D1F, BP 12, 91680 Bruyeres-le-Chatel, France;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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