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Evidence of optically induced degradation in gallium nitride optoelectronic devices

机译：氮化镓光电器件中光诱导降解的证据

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摘要

We provide experimental evidence that gallium-nitride-based optoelectronic devices can be affected by a photon-driven degradation mechanism unrelated to catastrophic optical damage. Any role of current in such degradation is excluded by stress tests under laser irradiation in the open-circuit configuration; any role of temperature is ruled out by additional thermal tests, showing a different degradation mode. Given the high bond strength of GaN, lattice-damage-related degradation is unlikely. A possible cause, supported by the PL spectra, is the dehydrogenation of gallium vacancies, which causes an increase in the number of optically active defects and requires a removal energy lower than the photon energy. (c) 2018 The Japan Society of Applied Physics
机译：我们提供的实验证据表明，基于氮化镓的光电器件会受到与灾难性光学损伤无关的光子驱动降解机制的影响。在开路配置中，在激光照射下进行的应力测试排除了电流在这种退化中的任何作用；温度的任何作用都可以通过额外的热测试来排除，这显示出不同的降解模式。鉴于GaN的高键合强度，不太可能发生与晶格损伤相关的退化。 PL光谱支持的一个可能的原因是镓空位的脱氢，这会导致光学活性缺陷数量的增加，并且需要的清除能量要比光子能量低。 （c）2018年日本应用物理学会

著录项

  • 来源
    《Applied physics express》 |2018年第11期|111002.1-111002.4|共4页
  • 作者

    De Santi Carlo; Caria Alessandro; Renso Nicola; Dogmus Ezgi; Zegaoui Malek; Medjdoub Farid; Meneghesso Gaudenzio; Zanoni Enrico; Meneghini Matteo;

  • 作者单位

    Univ Padua, Dept Informat Engn, Via Gradenigo 6-B, I-35131 Padua, Italy;

    Univ Padua, Dept Informat Engn, Via Gradenigo 6-B, I-35131 Padua, Italy;

    Univ Padua, Dept Informat Engn, Via Gradenigo 6-B, I-35131 Padua, Italy;

    CNRS, IEMN, Ave Poincare CS 60069, F-59652 Villeneuve Dascq, France;

    CNRS, IEMN, Ave Poincare CS 60069, F-59652 Villeneuve Dascq, France;

    CNRS, IEMN, Ave Poincare CS 60069, F-59652 Villeneuve Dascq, France;

    Univ Padua, Dept Informat Engn, Via Gradenigo 6-B, I-35131 Padua, Italy;

    Univ Padua, Dept Informat Engn, Via Gradenigo 6-B, I-35131 Padua, Italy;

    Univ Padua, Dept Informat Engn, Via Gradenigo 6-B, I-35131 Padua, Italy;

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