• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Applied Physics Letters >Bright, low voltage europium doped gallium oxide thin film electroluminescent devices
【24h】

Bright, low voltage europium doped gallium oxide thin film electroluminescent devices

机译：明亮的低压掺杂do的氧化镓薄膜电致发光器件

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Europium doped gallium oxide thin film electroluminescent devices with bright, red emission (611 nm) and relatively low threshold voltages of 60 V were produced using pulsed laser deposition. The use of transparent conducting electrodes of amorphous InGaZnO on transparent aluminum titanium oxide/indium tin oxide/7059 Corning glass substrates resulted in a device that is transparent throughout the visible spectrum. At 100 V, with 1 kHz excitation, the luminance was 221 cd/m~2. The Sawyer-Tower circuit analysis and time dependent emission measurements suggest that the charge trapping at the aluminum titanium oxide/Ga_2O_3: Eu interface plays an important role in producing efficient emission.
机译：使用脉冲激光沉积产生了具有明亮，红色发射（611 nm）和相对较低的60 V阈值电压的do掺杂氧化镓薄膜电致发光器件。在透明的铝钛氧化物/铟锡氧化物/ 7059康宁玻璃衬底上使用非晶态InGaZnO的透明导电电极可产生在整个可见光谱范围内都是透明的器件。在100 V，1 kHz激励下，亮度为221 cd / m〜2。 Sawyer-Tower电路分析和随时间变化的发射测量结果表明，铝钛氧化物/ Ga_2O_3：Eu界面处的电荷俘获在产生有效发射中起重要作用。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号