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【24h】

Quantum-dot Light-emitting Diodes Utilizing Cdse/zns Nanocrystals Embedded In Tio_2 Thin Film

机译：利用嵌入在Tio_2薄膜中的Cdse / zns纳米晶体的量子点发光二极管

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Quantum-dot (QD) light-emitting diodes (LEDs) are demonstrated on Si wafers by embedding core-shell CdSe/ZnS nanocrystals in TiO_2 thin films via plasma-enhanced metallorganic chemical vapor deposition. The n-TiO_2/QDs/p-Si LED devices show typical p-n diode current-voltage and efficient electroluminescence characteristics, which are critically affected by the removal of QD surface ligands. The TiO_2/QDs/Si system we presented can offer promising Si-based optoelectronic and electronic device applications utilizing numerous nanocrystals synthesized by colloidal solution chemistry.
机译：通过等离子增强的金属有机化学气相沉积法，将核壳CdSe / ZnS纳米晶体嵌入TiO_2薄膜中，从而在硅片上展示了量子点（QD）发光二极管。 n-TiO_2 / QDs / p-Si LED器件显示出典型的p-n二极管电流-电压和有效的电致发光特性，这些特性受QD表面配体去除的影响很大。我们提出的TiO_2 / QDs / Si系统可以利用胶体溶液化学合成的大量纳米晶体，提供有希望的基于Si的光电和电子设备应用。

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