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Vacuum nanoelectronics: Back to the future?—Gate insulated nanoscale vacuum channel transistor

机译：真空纳米电子技术：回到未来吗？—门绝缘纳米级真空沟道晶体管

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摘要

A gate-insulated vacuum channel transistor was fabricated using standard silicon semiconductor processing. Advantages of the vacuum tube and transistor are combined here by nanofabrication. A photoresist ashing technique enabled the nanogap separation of the emitter and the collector, thus allowing operation at less than 10 V. A cut-off frequency fT of 0.46 THz has been obtained. The nanoscale vacuum tubes can provide high frequency/power output while satisfying the metrics of lightness, cost, lifetime, and stability at harsh conditions, and the operation voltage can be decreased comparable to the modern semiconductor devices.
机译：使用标准的硅半导体工艺制造了栅极绝缘的真空沟道晶体管。真空管和晶体管的优点在这里通过纳米制造结合在一起。光致抗蚀剂灰化技术可实现发射极和集电极之间的纳米间隙分离，从而允许在低于10 V的条件下工作，已获得0.46 THz的截止频率fT。纳米级真空管可以提供高频/功率输出，同时满足苛刻条件下的亮度，成本，寿命和稳定性指标，并且可以与现代半导体器件相比降低工作电压。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2012年第21期|p.1-4|共4页
  • 作者

    Han Jin-Woo;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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