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Self-organization of polarization-dependent periodic nanostructures embedded in Ⅲ-Ⅴ semiconductor materials

机译:嵌入Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的极化相关周期性纳米结构的自组织

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摘要

Space-selective nanostructuring inside various Ⅲ-Ⅴ semiconductor materials containing gallium element has been accomplished by focused irradiation of IR femtosecond laser pulses. To elucidate the formation mechanisms of periodic nanostructures, we systematically classified Ⅲ-Ⅴ semiconductor materials in which polarization-dependent periodic nanostructure can be formed. Self-organization of the periodic nanostructures could be induced empirically only if it is indirect bandgap semiconductor, namely GaP.
机译:各种含镓元素的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料内部的空间选择性纳米结构是通过红外飞秒激光脉冲的聚焦照射完成的。为了阐明周期性纳米结构的形成机理,我们系统地分类了可以形成偏振相关的周期性纳米结构的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料。只有当它是间接带隙半导体,即GaP时,才能凭经验诱导周期性纳米结构的自组织。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics》 |2016年第3期|159.1-159.7|共7页
  • 作者单位

    Department of Material Chemistry, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan;

    Department of Material Chemistry, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan;

    Department of Material Chemistry, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan;

    Society-Academia Collaboration for Innovation, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan;

    Department of Material Chemistry, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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