机译:掺BiVO4的N掺杂ZnO纳米片的表面积增加,高Zn间隙缺陷和带隙减小导致光催化性能提高
Univ Delhi, Deen Dayal Upadhyaya Coll, New Delhi 110078, India;
Indian Inst Technol, Dept Phys, Thin Film Lab, New Delhi 110016, India;
Indian Inst Technol, Dept Phys, Thin Film Lab, New Delhi 110016, India;
Nitrogen doping; ZnO/BiVO4 composite; Photocatalysis; Heterojunction; Z-scheme;
机译:新型RGO和凹甚BEECU2O共改性的BIVO4纳米片,具有增强的光催化和表面吸附性能的四环素
机译:高效合成可调带间隙CuinZNS装饰G-C_3N_4杂交体,用于增强CO_2光催化还原和近红外触发的光降解性能
机译:具有较薄的BIVO4纳米晶片的增强Z样品CDS / BIVO4纳米复合材料的光催化CO2还原活性
机译:增强光催化性能的ZnO-ZnS纳米花的合成与表征:ZnS装饰的ZnO纳米花
机译:具有硫空位缺陷的N掺杂碳包覆ZnS在可见光区中增强了光催化活性
机译:富含缺陷的MOS2超薄纳米蛋白酶涂覆的氮掺杂ZnO纳米OD异质结构:对原位产生的ZnS的洞察,用于增强的光催化氢进化