• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Applied Surface Science >Dry Etching Characteristics Of Gan For Blue/green Light-emitting Diode Fabrication
【24h】

Dry Etching Characteristics Of Gan For Blue/green Light-emitting Diode Fabrication

机译：蓝/绿光发光二极管制造用干法刻蚀特性

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

The etch rates, surface morphology and sidewall profiles of features formed in GaN/InGaN/AlGaN multiple quantum well light-emitting diodes by Cl_2-based dry etching are reported. The chlorine provides an enhancement in etch rate of over a factor of 40 relative to the physical etching provided by Ar and the etching is reactant-limited until chlorine gas flow rates of at least 50 standard cubic centimeters per minute. Mesa sidewall profile angle control is possible using a combination of Cl_2/Ar plasma chemistry and SiO_2 mask. N-face GaN is found to etch faster than Ga-face surfaces under the same conditions. Patterning of the sapphire substrate for improved light extraction is also possible using the same plasma chemistry.
机译：报道了通过Cl_2基干法刻蚀在GaN / InGaN / AlGaN多量子阱发光二极管中形成的特征的刻蚀速率，表面形态和侧壁轮廓。相对于由Ar提供的物理蚀刻，氯提供的蚀刻速率提高了40倍以上，并且蚀刻受到反应物的限制，直到氯气流速至少为每分钟50标准立方厘米。结合使用Cl_2 / Ar等离子体化学和SiO_2掩模可以控制台面侧壁轮廓角。发现在相同条件下，N面GaN的蚀刻速度比Ga面表面的蚀刻速度快。使用相同的等离子体化学方法对蓝宝石衬底进行图案化以改善光提取也是可能的。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号