机译:具有{111}面的GaP纳米线的结构稳定性的理论研究
Department of Physics Engineering, Mie University, 1577 Kurima-Machiya, Tsu, Mie 514-8507, Japan;
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nanowires; GaP; structural stability; {111} facets; {110} facets;
机译:具有两种不同类型面的GaAs纳米线结构稳定性的理论研究
机译:晶相和刻面对GaP纳米线结构稳定性和电子性能的影响
机译:InP(111)A表面生长的InP薄膜结构稳定性对温度和压力的依赖性的理论研究
机译:HRTEM的间隙<111> B纳米线的结构表征
机译:硅(111)和硅(100)上的铅的理论研究,氢钝化硅纳米线的整体研究以及钼的高度局部化准原子最小基础轨道的构建。
机译:在Si(111)上形成的无催化剂掺杂Si的InAs纳米线的结构和电性能
机译:Si(111)和(001)纳米线的结构和电子性质:理论研究
机译:空间构造设计对其结构弯曲频率和空气动力稳定性影响的理论研究