• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Applied Surface Science >Cluster size dependence of SiO_2 thin film formation by O_2 gas cluster ion beams
【24h】

Cluster size dependence of SiO_2 thin film formation by O_2 gas cluster ion beams

机译：O_2气体团簇离子束形成SiO_2薄膜的团簇尺寸依赖性

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Cluster size effects of SiO_2 thin film formation with size-selected O_2 gas cluster ion beams (GCIBs) irradiation on Si surface were studied. The cluster size varied between 500 and 20,000 molecules/cluster. With acceleration voltage of 5 kV, the SiO_2 thickness was close to the native oxide thickness by irradiation of (02)20.000 (0.25 eV/molecule), or (O_2)_(10,000) (0.5 eV/molecule). However, it increased suddenly above 1 eV/molecule (5000 molecules/cluster), and increased monotonically up to 10eV/ molecule (500 molecules/cluster). The SiO_2 thickness with 1 and 10 eV/molecule O_2-GCIB were 2.1 and 5.0 nm, respectively. When the acceleration voltage was 30 kV, the SiO_2 thickness has a peak around 10eV/molecule (3000 molecules/cluster), and it decreased gradually with increasing the energy/ molecule. At high energy/molecule, physical sputtering effect became more dominant process than oxide formation. These results suggest that SiO_2 thin film formation can be controlled by energy per molecule.
机译：研究了尺寸选择的O_2气体团簇离子束（GCIBs）辐照Si表面SiO_2薄膜的团簇尺寸效应。簇的大小在500到20,000个分子/簇之间变化。在5kV的加速电压下，通过照射（02）20.000（0.25eV /分子）或（O_2）_（10,000）（0.5eV /分子），SiO 2的厚度接近天然氧化物的厚度。但是，它突然超过1 eV /分子（5000分子/簇），并单调增加到10eV /分子（500分子/簇）。具有1和10 eV /分子O_2-GCIB的SiO_2厚度分别为2.1和5.0 nm。当加速电压为30 kV时，SiO_2厚度在10eV /分子附近（3000分子/簇）有一个峰值，并且随着能量/分子的增加而逐渐减小。在高能量/分子下，物理溅射效应比形成氧化物的过程更占主导地位。这些结果表明，SiO 2薄膜的形成可以通过每个分子的能量来控制。

著录项

  • 来源
    《Applied Surface Science》 |2009年第4期|1106-1109|共4页
  • 作者

    T. Mashita; N. Toyoda; I. Yamada;

  • 作者单位

    Graduate School of Engineering, University of Hyogo, 2167 Shosha, Himeji, Hyogo 671-2201, Japan;

    Graduate School of Engineering, University of Hyogo, 2167 Shosha, Himeji, Hyogo 671-2201, Japan;

    Graduate School of Engineering, University of Hyogo, 2167 Shosha, Himeji, Hyogo 671-2201, Japan;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    gas cluster ion beam; cluster size; thin film;

    机译：气团离子束簇的大小;薄膜;

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号