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Surface Analysis Of Thermally Annealed Porous Silicon

机译：热退火多孔硅的表面分析

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Quasi-monocrystalline porous silicon (QMPS) has high potential for photovoltaic application for its enhanced optical absorption compared to bulk silicon in the visible range of solar spectrum. In this study, QMPS was formed from low porosity (～20-30%) porous silicon (PS) produced by electrochemical anodization, and thermal annealing in the temperature range 1050-1100 ℃ under pure hydrogen ambient for a duration of 30 min. We analyzed the material surface by grazing incidence X-ray diffraction (GIXRD), field emission scanning electron microscopy (FESEM), atomic force microscopy (AFM) and dynamic secondary ion mass spectroscopy (SIMS) study. The crystallinity was confirmed by GIXRD while FESEM studies revealed that the surface layer is pore free with voids embedded inside the body. AFM studies indicated relatively smooth and uniform surface and the dynamic SIMS study showed the depth profiles of impurities present in the material.
机译：准单晶多孔硅（QMPS）在太阳光谱的可见光范围内具有比块状硅更高的光吸收能力，在光伏应用中具有很高的潜力。本研究中，QMPS是由低孔隙度（〜20-30％）的多孔硅（PS）通过电化学阳极氧化，在纯氢环境下在1050至1100℃的温度范围内进行30分钟的热退火而形成的。我们通过掠入射X射线衍射（GIXRD），场发射扫描电子显微镜（FESEM），原子力显微镜（AFM）和动态二次离子质谱（SIMS）研究来分析材料表面。 GIXRD证实了其结晶度，而FESEM研究表明该表面层无孔且体内嵌入有空隙。 AFM研究表明表面相对光滑均匀，动态SIMS研究表明材料中杂质的深度分布。

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