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Hreels Study Of The Adsorption And Evolution Of Diethylamine (dea) On Si(100) Surfaces

机译：Hilels研究Si（100）表面上二乙胺（dea）的吸附和释放

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The adsorption of diethylamine (DEA) on Si(100) at 100K was investigated using high-resolution electron energy loss spectroscopy (HREELS) and electron stimulated desorption (ESD). The thermal evolution of DEA on Si(l 0 0) was studied using temperature programmed desorption (TPD). Our results demonstrate DEA bonds datively to the Si(l 0 0) surface with no dissociation at 100 K. Thermal desorption of DEA takes place via a β-hydride elimination process leaving virtually no carbon behind. Electronic processing of DEA/Si(100) at 100 K results in desorption of ethyl groups; however, carbon and nitrogen are deposited on the surface as a result of electron irradiation. Thermal removal of carbon and nitrogen was not possible, indicating the formation of silicon carbide and silicon nitride.
机译：使用高分辨率电子能量损失谱（HREELS）和电子激发解吸（ESD）研究了100K时Si（100）上二乙胺（DEA）的吸附。使用程序升温脱附（TPD）研究了DEA在Si（l 0 0）上的热演化。我们的结果表明，DEA与Si（l 0 0）表面键合且在100 K下没有解离。DEA的热脱附通过β-氢化物消除过程发生，几乎没有碳残留。在100 K下对DEA / Si（100）进行电子处理会导致乙基解吸；然而，由于电子辐照，碳和氮沉积在表面上。不能热去除碳和氮，表明形成了碳化硅和氮化硅。

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