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【24h】

Structural Characterization Of Nc-si Films Grown By Low-energy pecvd On Different Substrates

机译：低能法在不同基底上生长的Nc-si膜的结构表征

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The knowledge and control of the structural details (texture, crystallite environment and size) of nanocrystalline silicon films is a prerequisite for their proper application in various technological fields. To this purpose, nanocrystalline silicon films grown by low energy plasma enhanced chemical vapour deposition (LEPECVD) on different kinds of substrates were submitted to a systematic characterization using Raman spectroscopy, X-ray diffraction (XRD) and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM). The results showed how the difference in substrate morphology is responsible for a deep difference in the film structural properties, particularly in the case of high silane dilutions.
机译：纳米晶硅膜的结构细节（质地，微晶环境和尺寸）的知识和控制是其在各种技术领域中正确应用的前提。为此，通过低能等离子体增强化学气相沉积（LEPECVD）在不同种类的基板上生长的纳米晶硅膜已通过拉曼光谱，X射线衍射（XRD）和高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）进行了系统表征。 ）。结果表明，底物形态的差异如何导致薄膜结构性能的深层差异，特别是在高硅烷稀释度的情况下。

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