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Reflectivity Modification Of Polymethylmethacrylate By Silicon Ion Implantation

机译：硅离子注入法改性聚甲基丙烯酸甲酯的反射率

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The effect of silicon ion implantation on the optical reflection of bulk polymethylmethacrylate (PMMA) was examined in the visible and near UV. A low-energy (30 and 50 keV) Si~+ beam at fluences in the range from 10~(13) to 10~(17) cm~(-2) was used for ion implantation of PMMA. The results show that a significant enhancement of the reflectivity from Si~+-implanted PMMA occurs at appropriate implantation energy and fluence. The structural modifications of PMMA by the silicon ion implantation were characterized by means of photoluminescence and Raman spectroscopy. Formation of hydrogenated amorphous carbon (HAC) layer beneath the surface of the samples was established and the corresponding HAC domain size was estimated.
机译：在可见光和近紫外光下检查了硅离子注入对本体聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）光学反射的影响。能量密度在10〜（13）到10〜（17）cm〜（-2）范围内的低能量（30和50 keV）Si〜+束用于PMMA的离子注入。结果表明，在适当的注入能量和注量下，Si〜+注入的PMMA的反射率显着提高。通过光致发光和拉曼光谱表征了通过硅离子注入对PMMA的结构修饰。建立了在样品表面下方的氢化非晶碳（HAC）层的形成，并估算了相应的HAC域尺寸。

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