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【24h】

Effects of the sputtering time of ZnO buffer layer on the quality of GaN thin films

机译：ZnO缓冲层的溅射时间对GaN薄膜质量的影响

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ZnO thin films with different thickness (the sputtering time of ZnO buffer layers was 10 min, 15 min, 20 min, and 25 min, respectively) were first prepared on Si substrates using radio frequency magnetron sputtering system and then the samples were annealed at 900 ℃ in oxygen ambient. Subsequently, a GaN epilayer about 500 nm thick was deposited on ZnO buffer layer. The GaN/ZnO films were annealed in NH_3 ambient at 950 ℃ X-ray diffraction (XRD), atom force microscopy (AFM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and photoluminescence (PL) were used to analyze the structure, morphology, composition and optical properties of GaN films. The results show that their properties are investigated particularly as a function of the sputtering time of ZnO layers. For the better growth of GaN films, the optimal sputtering time is 15 min.
机译：首先使用射频磁控溅射系统在Si基板上制备不同厚度的ZnO薄膜（ZnO缓冲层的溅射时间分别为10分钟，15分钟，20分钟和25分钟），然后在900℃下对样品进行退火。氧气环境中。随后，将约500 nm厚的GaN外延层沉积在ZnO缓冲层上。将GaN / ZnO薄膜在NH_3环境中于950℃退火，使用X射线衍射（XRD），原子力显微镜（AFM），X射线光电子能谱（XPS）和光致发光（PL）来分析结构，形貌， GaN薄膜的组成和光学性能。结果表明，特别根据ZnO层的溅射时间研究了它们的性能。为了更好地生长GaN膜，最佳溅射时间为15分钟。

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