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Formation And Escaping Of Positronium In Porous Sio_2 Films At Low Temperature

机译：低温下多孔Sio_2薄膜中正电子的形成与逸出

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Positronium formation and escaping has been studied in porous silica thin films at temperature ranging from 13 to 300 K by 2-3 gamma ratio of positronium (3γ-PAS) measurements. Nanoporous silica thin films were deposited by spin coating on p-type (100) Si substrates and thermal treated in air at temperatures of 600 ℃. Two different molar ratios of porogen (polyvinylpyrrolidone) were used in the TEOS-ethanol mixture to obtain samples with close porosity and connected porosity with the surfaces. In both types of sample a reduction of the 2-3 gamma ratio of positronium was observed by decreasing the temperature. This finding, in disagreement with the theoretical expectation, is discussed on the basis of the possible quenching mechanisms.
机译：通过在2-3 gamma的正电子ron（3γ-PAS）测量中在13至300 K的温度范围内研究了多孔二氧化硅薄膜中正电子的形成和逸出。通过旋涂将纳米多孔二氧化硅薄膜沉积在p型（100）Si衬底上，并在空气中于600℃的温度下进行热处理。在TEOS-乙醇混合物中使用两种不同摩尔比的致孔剂（聚乙烯吡咯烷酮）获得具有紧密孔隙率和与表面相连的孔隙率的样品。在两种类型的样品中，通过降低温度都可以观察到2-3伽马比的降低。在可能的淬灭机理的基础上讨论了这一发现，与理论预期不一致。

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