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【24h】

Orthopositronium Annihilation And Emission In Mesostructured Thin Silica And Silicalite-1 Films

机译：介观薄二氧化硅和Silicalite-1薄膜中的正电子ron灭和发射

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Mesoporous silica films and MFI-type pure silica zeolite films were investigated using slow positrons. Detection of the 3γ annihilation fraction was used as a quick test to estimate the emission of orthopositronium (o-Ps) into vacuum. Positronium time-of-flight (TOF) spectroscopy, combined with Monte-Carlo simulation of the detection system was used to determine the energy of o-Ps emitted from the films. Evidence for an efficient o-Ps emission was found in both the mesoporous and silicalite-1. A 3γ fraction in the range of 31 -36 % was found in the films with the highest o-Ps yield in each type of porous material, indicating that 40-50 % of the implanted positrons form positronium in the pore systems with very different pore sizes. Time-of-flight measurements showed that the energy of the orthopositronium emitted into vacuum is below 100 meV in the film with 2-3 nm pores at 3 keV positron energy, indicating an efficient slowing down but no complete thermalization in the porous films of 300-400 nm thickness.
机译：使用慢正电子研究了介孔二氧化硅膜和MFI型纯二氧化硅沸石膜。 3γhil灭率的检测被用作一种快速测试，以估计正正电子（o-Ps）向真空中的排放。正电子飞行时间（TOF）光谱与检测系统的蒙特卡洛模拟相结合，用于确定薄膜发射的邻位磷的能量。在中孔和silicalite-1中都发现了有效的o-Ps排放的证据。在每种类型的多孔材料中，o-P收率最高的薄膜中的3γ分数在31 -36％的范围内，这表明植入的正电子中有40-50％在孔隙非常不同的孔隙系统中形成正电子大小。飞行时间的测量表明，在3 keV正电子能量下，具有2-3 nm孔的薄膜中，发射到真空中的正正电子的能量低于100 meV，这表明在300的多孔薄膜中有效放慢了速度，但没有完全热化-400 nm厚度。

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