• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Applied Surface Science >Md Simulation Study Of The Sputtering Process By High-energy Gas Cluster Impact
【24h】

Md Simulation Study Of The Sputtering Process By High-energy Gas Cluster Impact

机译：高能气体团簇冲击溅射过程的Md模拟研究

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We performed molecular dynamics (MD) simulations to study the characteristic sputtering process with large cluster ion impact. The statistical properties of incident Ar and sputtered Si atoms were examined using 100 different MD simulations with Ar_(1000) cluster impacting on a Si(0 0 1) target at a total acceleration energy of 50 keV. The results show that the kinetic energy distribution of Ar atoms after impact obeys the high-temperature Boltzmann distribution due to thermalization through high-density multiple collisions on the target. On the other hand, the kinetic energy distribution of sputtered target atoms demonstrates a hybrid model of thermalization and collision-cascade desorption processes.
机译：我们进行了分子动力学（MD）模拟，以研究具有大簇离子冲击的特征溅射过程。使用100种不同的MD模拟检查了入射Ar和溅射的Si原子的统计特性，其中Ar_（1000）簇以50 keV的总加速能量撞击Si（0 0 1）目标。结果表明，由于靶上高密度多次碰撞而发生热化，撞击后Ar原子的动能分布服从高温Boltzmann分布。另一方面，溅射靶原子的动能分布证明了热化和碰撞级联解吸过程的混合模型。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号