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Semiconductor Profiling With Sub-nm Resolution: Challenges And Solutions

机译：亚纳米分辨率的半导体性能分析：挑战与解决方案

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The application of secondary ion mass spectrometry in recent semiconductor applications has highlighted the need for extremely high depth resolution. The depth resolution limitations arise from the high dose, energetic interactions of the primary ion with the sample, leading to profile distortions due to the primary incorporation process and the collision cascades. Evolutionary and revolutionary approaches are presently proposed as potential solutions to achieve the ultimate in depth resolution. Evolutionary concepts are based on using extremely low bombardment energies (～100eV) and/or cluster beams whereas revolutionary concepts such as zero-energy SIMS and the tomographic atomprobe remove the primary ion beam completely.
机译：二次离子质谱技术在最近的半导体应用中的应用突显了对极高深度分辨率的需求。深度分辨率的限制源自初级离子与样品的高剂量，高能相互作用，由于初级掺入过程和碰撞级联，导致轮廓变形。当前，提出了进化和革命性方法作为实现最终深度分辨率的潜在解决方案。进化的概念是基于使用极低的轰击能量（〜100eV）和/或簇束，而革命性的概念（例如零能量SIMS和断层扫描原子探针）则完全去除了主离子束。

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