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C_(60) Sputtering Of Organics: A Study Using Tof-sims, Xps And Nanoindentation

机译：C_（60）溅射有机物：使用Tof-sims，Xps和纳米压痕的研究

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Sputtering of organic materials using a C_(60) primary ion beam has been demonstrated to produce significantly less accumulated damage compared to sputtering with monatomic and atomic-cluster ion beams. However, much about the dynamics of C_(60) sputtering remains to be understood. We introduce data regarding the dynamics of C_(60) sputtering by evaluating TOF-SIMS depth profiles of bulk poly(methyl methacrylate) (PMMA). Bulk PMMA provides an ideal test matrix with which to probe C_(60) sputter dynamics because there is a region of steady-state secondary ion yield followed by irreversible signal degradation. C_(60) sputtering of PMMA is evaluated as a function of incident ion kinetic energy using 10keV C_(60)~+. 20 keV C_(60)~+ and 40 keV C_(60)~(++) primary ions. Changes in PMMA chemistry, carbon accumulation and graphitization, and topography as a function of total C_(60) ion dose at each accelerating potential is addressed.
机译：与单原子和原子团簇离子束溅射相比，使用C_（60）一次离子束溅射有机材料产生的累积损伤明显减少。但是，关于C_（60）溅射动力学的许多知识尚待了解。我们通过评估本体聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）的TOF-SIMS深度剖面，介绍有关C_（60）溅射动力学的数据。本体PMMA提供了理想的测试矩阵，可用来探测C_（60）溅射动力学，因为存在一个稳定状态的次级离子产生区域，然后发生不可逆的信号衰减。使用10keV C_（60）〜+评估PMMA的C_（60）溅射作为入射离子动能的函数。 20 keV C_（60）〜+和40 keV C_（60）〜（++）初级离子。解决了在每个加速电势下，PMMA化学，碳积累和石墨化以及形貌随总C_（60）离子剂量变化的变化。

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