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Oxidizing agent concentration effect on metal-assisted electroless etching mechanism in HF-oxidizing agent-H_2O solutions

机译：HF-H_2O溶液中氧化剂浓度对金属辅助化学腐蚀机理的影响

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The mechanism of metal-assisted electroless etching of silicon in HF-oxidizing agent-H_2O etching system as a function of oxidizing agent concentration was studied. Three types of oxidizing agent were experimented namely Na_2S_2O_8, K_2Cr_2O_7 and KMnO_4. Their concentrations were varied from 0.05 M to 0.3 M. The layers formed on silicon were investigated by scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD) and energy-dispersive X-ray (EDX). It is shown that an insoluble solid-phase film (K_2SiF_6) form on silicon surface when concentration of K_2Cr_2O_7 or KMnO_4 increases in chemical solutions. On other hand, when Na_2S_2O_8 concentration increases, the surface roughness decreases without any chemical complex formation.
机译：研究了HF-H_2O刻蚀系统中金属化学辅助硅化学腐蚀机理与氧化剂浓度的关系。实验了三种氧化剂，即Na_2S_2O_8，K_2Cr_2O_7和KMnO_4。它们的浓度从0.05 M到0.3 M不等。通过扫描电子显微镜（SEM），X射线衍射（XRD）和能量色散X射线（EDX）研究了在硅上形成的层。结果表明，当化学溶液中K_2Cr_2O_7或KMnO_4的浓度增加时，在硅表面会形成不溶性固相膜（K_2SiF_6）。另一方面，当Na_2S_2O_8的浓度增加时，表面粗糙度降低而没有任何化学配合物形成。

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