机译:弹性峰电子光谱法(EPES)测定Ti中的非弹性平均自由程(IMFP):杂质和表面激发的影响
Institute of Physical Chemistry Polish Academy of Sciences, Kasprzaka 44/52, 01-224 Warszawa, Poland;
elastic peak electron spectroscopy; EPES; inelastic mean free path; IMFP; electron elastic scattering cross sections; surface excitations; Ti; Cu;
机译:使用高分辨率分析仪通过弹性峰电子光谱法(EPES)测定锗和硅中电子的非弹性平均自由程(IMFP)
机译:用于弹性峰电子光谱法(EPES)的Ag,Ge和Sn参考样品,用于实验确定非弹性平均自由程和表面激发参数
机译:弹性峰电子光谱法(EPES)测定铜和氧化铜中电子的非弹性平均自由程
机译:从X射线光电子谱和电子能损光谱中提取钨的差分逆非弹性平均自由路径和差异表面激发概率
机译:铁磁金属中自旋相关的电子非弹性平均自由程和自旋激发的研究。
机译:LiFCaF2Al2O3和433 keV的液态水的电子非弹性平均自由程缩小到能源差距
机译:来自电子弹性峰强度比的银,金,铜和硅中电子势型平均自由路径的实验测定
机译:n型半导体中的自由载流子吸收:来自电离杂质的电子的非弹性散射。