机译:X射线诱导Ti和TiO2中二次电子产率的实验和理论研究
Osaka Inst Technol, Dept Informat Sci, Hirakata, Osaka 5730196, Japan;
Nalt Inst Mat Sci, Adv Mat Lab, Mikazuki, Hyogo 6975148, Japan;
escape depth; Monte Carlo simulation; TiO2; X-ray induced secondary electrons; MONTE-CARLO-SIMULATION; EMISSION;
机译:强光子辐照下NEG材料(Ti-Zr-V)涂层二次电子和光电子产率的首次实验和模拟研究
机译:使用实验和理论X射线发射率确定扫描电子显微镜下能量色散X射线谱仪的有效检测器面积
机译:第四级硫族化物Ag_2ln_2Ge(Si)S_6单晶的电子结构及Ge取代Si的影响:实验X射线光电子能谱和X射线衍射研究及理论计算
机译:碳中电子诱导的靶厚度依赖性电子产率的实验与理论研究
机译:表面科学中的两个主题:氧诱导镍铝Al(111)的形态变化;与极紫外光刻相关的钌和二氧化钛表面的二次电子产率研究。
机译:蛋白质-配体相互作用检测瞬态诱导分子电子光谱的新方法(时间):实验和理论研究
机译:使用实验和理论X射线发射率确定扫描电子显微镜上能量色散X射线谱仪的有效检测器面积