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Annealing and measurement temperature dependence of W2B5-based rectifying contacts to n-GaN

机译：基于W2B5的n-GaN整流触点的退火和测量温度依赖性

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The thermal stability and measurement temperature dependence of Schottky contact characteristics on n-GaN using a W2B5/Ti/Au metallization scheme was studied using current-voltage (I-V), scanning electron microscopy (SEM) and Auger electron spectroscopy (AES) measurements. The elemental profile obtained from samples annealed at 350 degrees C showed some titanium diffusion into the gold layer but little other difference from the as-deposited wafer. Annealing at 700 degrees C produced significant diffusion of titanium. The Schottky barrier height increased with anneal temperature up to 200 degrees C, reaching a maximum value of 0.65 eV, but decreased at higher annealing temperatures. The reverse breakdown voltage from diodes fabricated using the W2B5-based contacts showed a similar dependence. The reverse current magnitude was larger than predicted by thermionic emission alone. The barrier height showed only minor changes with measurement temperature up to 150 degrees C. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：使用电流-电压（I-V），扫描电子显微镜（SEM）和俄歇电子能谱（AES）测量研究了使用W2B5 / Ti / Au金属化方案在n-GaN上肖特基接触特性的热稳定性和测量温度依赖性。从在350摄氏度下退火的样品获得的元素轮廓表明，钛扩散到金层中，但与沉积后的晶片几乎没有其他差异。在700摄氏度下退火会产生大量钛扩散。肖特基势垒高度随退火温度升高至200摄氏度而增加，达到最大值0.65 eV，但在更高的退火温度下降低。使用基于W2B5的触点制造的二极管的反向击穿电压也显示出相似的依赖性。反向电流幅度大于仅通过热电子发射所预测的幅度。在测量温度高达150摄氏度的情况下，势垒高度仅显示出很小的变化。（c）2005 Elsevier B.V.保留所有权利。

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