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Deconvolution of very low primary energy SIMS depth profiles2w

机译：非常低的一次能量SIMS深度剖面的反卷积

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In this paper, the deconvolution of SIMS profiles analysed at very low primary energy (0.5 keV/O-2(+)) is addressed. The depth resolution function (DRF) of the SIMS analysis in presence of roughness is established and a deconvolution procedure is implemented without or in presence of roughness on samples containing delta-doped layers of boron in silicon. It is shown that the deconvolution procedure can lead to a great improvement of the full width at half maximum (FWHM) of the measured peaks in the case where no roughness in detected in the crater bottom. In the case where it is present, the conditions required to use a deconvolution procedure are discussed, and the deconvolution is implemented using precise and restrictive assumptions. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：在本文中，解决了在非常低的一次能量（0.5 keV / O-2（+））下分析的SIMS轮廓的反卷积问题。建立了在存在粗糙度的情况下SIMS分析的深度分辨率函数（DRF），并在包含或不存在粗糙度的样品上进行了反卷积程序，该样品中包含硅中的硼掺杂层。结果表明，如果在火山口底部未检测到粗糙度，则解卷积程序可以极大地改善测量峰的半峰全宽（FWHM）。在存在这种情况的情况下，将讨论使用解卷积过程所需的条件，并使用精确的限制性假设来实施解卷积。 （c）2006 Elsevier B.V.保留所有权利。

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