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The influence of impurity profile on ultra-shallow GaAs sidewall tunnel junction characteristics

机译：杂质分布对超浅GaAs侧壁隧道结特性的影响

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Dynamic SIMS has been applied to investigate the influence of impurity profiles on the characteristics of ultra-shallow GaAs sidewall tunnel junctions. SIMS depth profile on test-element-group areas on the device chips have shown that the Be profiles pile-up, with concentrations of up to 10(20) cm(-3) at the tunnel junction interfaces. This result illustrates one of the dominant causes why very high peak current densities are achieved. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：动态SIMS已用于研究杂质分布对超浅GaAs侧壁隧道结特性的影响。器件芯片上测试元素组区域上的SIMS深度剖面显示，Be剖面堆积，在隧道结界面处的浓度高达10（20）cm（-3）。该结果说明了达到非常高的峰值电流密度的主要原因之一。 （c）2006 Elsevier B.V.保留所有权利。

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