机译:通过离子注入和脉冲等离子体处理制备的超导MgB2层的SIMS表征
Ind Inst Elect, PL-00241 Warsaw, Poland;
Warsaw Univ Technol, Fac Phys, PL-00662 Warsaw, Poland;
Andrzej Soltan Inst Nucl Studies, PL-05400 Otwock, Poland;
Inst Nucl Chem & Technol, PL-03145 Warsaw, Poland;
MgB2; secondary ion mass spectrometry; superconductivity; ion implantation; pulse plasma treatment; depth profile analysis;
机译:通过将镁离子注入到硼衬底中,然后进行强脉冲等离子体处理,形成MgB2的超导区域
机译:离子注入和脉冲等离子体处理制备的MgB2薄膜的超导性
机译:MgB2超导薄膜的脉冲激光沉积过程中等离子体羽流的光发射特性
机译:氢等离子体扩散处理等离子体渗氮层
机译:用于等离子体锂沟槽实验的高能脉冲等离子体模拟器的开发。
机译:先进的内部镁渗透(AIMI)处理的MgB2焊丝中MgB2层形成的动力学分析
机译:脉冲激光注入钍离子的实验研究 等离子体成为薄氧化硅层