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Nitrogen binding behavior in ZnO films with time-resolved cathodoluminescence

机译：时间分辨阴极发光的ZnO薄膜中的氮结合行为

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ZnO film with (1 0 0) orientation was produced on silicon substrate and doped with nitrogen using plasma immersion ion implantation. The effects due to N doping were investigated using cathodoluminescence (CL). In the heavily nitrogen-doped ZnO film, the intensity of ultraviolet (UV) band decreases and that of the visible band increases as a function of the electron bombardment cycle i.e. time. Based on the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis, the unstable Zn-N bond is responsible for the CL behavior and the experimental results agree well with the first-principle calculation. Our work is helpful to our understanding of the role of p-type dopants in ZnO. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：在硅衬底上制备具有（1 0 0）取向的ZnO膜，并通过等离子体浸没离子注入将其掺杂有氮。使用阴极发光（CL）研究了由于氮掺杂引起的影响。在重氮掺杂的ZnO薄膜中，紫外线（UV）带的强度降低，而可见光带的强度随电子轰击周期即时间的变化而增加。根据X射线光电子能谱（XPS）分析，不稳定的Zn-N键负责CL行为，并且实验结果与第一性原理计算非常吻合。我们的工作有助于我们了解p型掺杂剂在ZnO中的作用。 （c）2005 Elsevier B.V.保留所有权利。

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