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IR study on the effect of chloride ion on porous silicon

机译：氯离子对多孔硅影响的红外研究

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Infrared (IR) studies have been carried out on porous silicon samples to infer on the changes in the surface bonding in the porous silicon (PS) layer due to chloride (Cl-) and subsequent fluoride (F-) ion exposures with respect to time. It is observed that silicon hydride linkages decreases and silicon oxide linkages increases with time of exposure to HCl, suggesting a possible oxidation of the porous layer. IR study revealed the formation of Si=O (silanones) bonds. A possible mechanism for the formation of silanones from Si-OH species has been proposed to explain the observation. We also observed a saturation of silicon oxide groups with complete disappearance of silicon hydride peaks indicating the complete conversion of silicon hydride to oxides. Furthermore on exposure to F-, the IR spectrum showed a rapid destruction of silicon oxygen linkages. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：已经对多孔硅样品进行了红外（IR）研究，以推断由于氯化物（Cl-）和随后的氟化物（F-）离子暴露引起的时间上多孔硅（PS）层中表面键合的变化。 。可以观察到，随着暴露于HCl的时间，氢化硅键降低而氧化硅键升高，这表明多孔层可能被氧化。红外研究表明形成了Si = O（硅酮）键。已经提出了由Si-OH物种形成硅烷酮的可能机制来解释该现象。我们还观察到氧化硅基团饱和，氢化硅峰完全消失，表明氢化硅完全转化为氧化物。此外，在暴露于F-时，红外光谱显示出硅氧键的快速破坏。 （c）2005 Elsevier B.V.保留所有权利。

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