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【24h】

Structural characterization of In_xGa_(1-x)As/Inp layers under different stresses

机译：In_xGa_（1-x）As / Inp层在不同应力下的结构表征

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In_xGa_(1-x)As layers on InP substrate can be subjected to compressive or tensile strain due to lattice parameter differences depending on the alloy composition. In order to examine in details the strain of InGaAs/InP epiatxial layers and its evolution after subjecting the layers to annealing at high pressure, X-ray synchrotron topography, high resolution X-ray diffraction and atomic force microscopy have been employed. The data show that the changes of structural properties of the InGaAs layers subjected to high temperature-high pressure treatment at 670 K-1.2 Gpa, strongly depend on initial strain state and defect structure. The annealing of samples under high pressure results in change of strain in tensile layers only. The behaviour of observed defects is discussed.
机译：由于取决于合金组成的晶格参数差异，InP衬底上的In_xGa_（1-x）As层可能会受到压缩或拉伸应变。为了详细检查InGaAs / InP外延层的应变及其在高压下退火后的演变，已使用X射线同步加速器形貌，高分辨率X射线衍射和原子力显微镜检查。数据表明，在670 K-1.2 Gpa进行高温高压处理的InGaAs层的结构性能变化主要取决于初始应变状态和缺陷结构。样品在高压下的退火仅导致拉伸层中的应变变化。讨论了观察到的缺陷的行为。

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