机译:串联电阻在计算肖特基触点特征参数中的重要性
Univ Dicle, Dept Phys, Fac Sci & Art, TR-21280 Diyarbakir, Turkey;
Univ Dicle, Fac Educ, TR-21280 Diyarbakir, Turkey;
ideality factor; interface states distribution; Schottky barrier height; series resistance; METAL-SEMICONDUCTOR CONTACT; INTERFACE STATE DENSITY; BARRIER HEIGHT; CAPACITANCE TECHNIQUE; DIODES; GAAS; TRANSPORT; JUNCTION; LAYER; IV;
机译:确定AlGaN / AlN / GaN肖特基势垒二极管的肖特基接触下的串联电阻
机译:电子辐照对Au / Ni / 6H-SiC和Au / Ni / 4H-SiC肖特基接触的串联电阻的影响
机译:非均匀肖特基接触中基本二极管串联电阻随机变化的理论证据
机译:接触界面对高电子迁移率晶体管串联电阻的影响建模,并使用HELENA软件计算微波性能
机译:n型4H碳化硅的不均匀性及其对肖特基接触电特性的影响。
机译:计算多串联量子霍尔效应器件中纵向电阻的影响
机译:ZnO薄膜的退火对n-Si上Au / ZnO肖特基接触特征参数的影响