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ZrB2-based Ohmic contacts to p-GaN

机译：基于ZrB2的欧姆接触p-GaN

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The annealing temperature dependence of contact resistance and layer stability of ZrB2/Ti/Au and Ni/Au/ZrB2/Ti/Au Ohmic contacts on p-GaN is reported. The as-deposited contacts are rectifying and transition to Ohmic behavior for annealing at >= 750 degrees C, a significant improvement in thermal stability compared to the conventional Ni/Au Ohmic contact on p-GaN, which is stable only to < 600 degrees C. A minimum specific contact resistance of similar to 2 x 10(-3) Omega cm(-2) was obtained for the ZrB2/Ti/Au after annealing at 800 degrees C while for Ni/Au/ZrB2/Ti/Au the minimum value was 10(-4) Omega cm(-2) at 900 degrees C. Auger Electron Spectroscopy profiling showed significant Ti, Ni and Zr out diffusion at 750 degrees C in the Ni/Au/ZrB2/Ti/Au while the Ti and Zr intertnix at 900 degrees C in the ZrB2/Ti/Au. These boride-based contacts show promise for contacts to p-GaN in high temperature applications. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：报道了在p-GaN上ZrB2 / Ti / Au和Ni / Au / ZrB2 / Ti / Au欧姆接触的接触电阻和层稳定性的退火温度依赖性。沉积的触点在大于等于750摄氏度的温度下进行退火时会整流并转变为欧姆行为，与仅在<600摄氏度下稳定的p-GaN上的常规Ni / Au欧姆触点相比，热稳定性有了显着改善在800℃退火后，ZrB2 / Ti / Au的最小比接触电阻接近2 x 10（-3）Omega cm（-2），而Ni / Au / ZrB2 / Ti / Au的最小比接触电阻最小值在900摄氏度时为10（-4）Omega cm（-2）。俄歇电子能谱分析表明，在750摄氏度时，Ni / Au / ZrB2 / Ti / Au中大量的Ti，Ni和Zr向外扩散，而Ti和Ni ZrB2 / Ti / Au中900摄氏度时Zr相互交错。这些基于硼化物的接触显示出在高温应用中与p-GaN接触的希望。 （c）2006 Elsevier B.V.保留所有权利。

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