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Balancing reactor fluid dynamics and deposition kinetics to achieve compositional variation in combinatorial chemical vapor depositions

机译：平衡反应堆流体动力学和沉积动力学，以实现组合化学气相沉积中的成分变化

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A low-pressure chemical vapor deposition (CVD) reactor was modified to produce compositional spreads of TiO_2/HfO_2/SnO_2 and ZrO_/HfO_2/SnO_2 on a single Si(100) wafer. Use of anhydrous metal nitrates as single-source precursors allowed the deposition kinetics to be matched. The compositions were mapped using X-ray photoelectron spectroscopy and Rutherford backscattering spectrometry. On a single wafer, an array of capacitors each with a dimension of 100 μm x 100 μm was used to map the effective dielectric constant of the films. The dielectric constant reached a maximum in the regions with the high TiO_2 or ZrO_2 content. A unique crystalline phase having the orthorhombic α-PbO_2 structure was detected in the films grown at or above 450℃.
机译：修改了低压化学气相沉积（CVD）反应器，以在单个Si（100）晶片上产生TiO_2 / HfO_2 / SnO_2和ZrO_ / HfO_2 / SnO_2的成分分布。使用无水金属硝酸盐作为单源前驱物可以使沉积动力学相匹配。使用X射线光电子能谱和卢瑟福背散射光谱法对组成进行标测。在单个晶片上，使用每个尺寸为100μmx 100μm的电容器阵列来绘制薄膜的有效介电常数。在高TiO_2或ZrO_2含量的区域中，介电常数达到最大值。在450℃或更高温度下生长的薄膜中检测到具有正交晶系α-PbO_2结构的独特晶相。

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