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Dependence of the tip-surface interaction on the surface electronic structure

机译：尖端表面相互作用对表面电子结构的依赖性

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We compare the results of ab initio calculations of the interaction of Si tips with the surfaces of CaCO3, MgO, and CaF2. The calculations were performed using the density functional theory and the SIESTA code. We used a conventional Si tip model with a dangling bond at the apex. The results demonstrate a considerable electron density redistribution between the tip and surface, which depends on the energy offset of the Si states with respect to the occupied and empty states of the insulator. The tip-surface interaction has two main components. One is due to the polarisation of the neutral Si tip by the surface electric field. The stronger electrostatic component originates from the electron redistribution effect mentioned above. As a result the strength of the tip-surface interaction is comparable to that for ionic tips (e.g. modelled by the MgO cube). (C) 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved. [References: 25]
机译：我们比较从头计算的硅尖端与CaCO3，MgO和CaF2表面相互作用的结果。使用密度泛函理论和SIESTA代码进行计算。我们使用传统的Si尖端模型，在尖端处带有悬挂键。结果表明，在尖端和表面之间存在相当大的电子密度重新分布，这取决于Si态相对于绝缘子的占据态和空态的能量偏移。尖端表面相互作用具有两个主要成分。一种是由于中性硅尖端被表面电场极化。较强的静电成分源自上述电子再分布效应。结果，尖端-表面相互作用的强度与离子尖端的强度相当（例如，由MgO立方体模拟）。 （C）2003 Elsevier Science B.V.保留所有权利。 [参考：25]

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